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半导体高纯碳化硅回转炉换装新型气封 助力芯片衬底原料提质

日期：2026/9/30 11:08:07         本文来源：河北科恩环保科技有限公司

随着全球第三代半导体产业的爆发式增长，核心衬底原材料的纯净化制备装备迎来关键突破。昨日，某半导体材料科技公司宣布，其用于合成高纯碳化硅（SiC）微粉的核心回转炉，已全换装了国内自主研发的非接触式超纯惰性气体气膜组合密封装置。
高纯碳化硅在接近2000℃的高温合成过程中，对外部杂质的侵入有着近乎苛刻的“零容忍”要求。传统机械擦拭密封在高温下产生的微量金属或碳微粒，易随负压气流进入窑内导致原料纯度降级。此次技改采用的气膜密封，利用高压超纯氩气在密封面之间形成微米级气衬，实现“以气阻气、零摩擦”。
项目投产运行数据表明，改用气膜密封后，回转炉内部的工艺气氛纯净度提升了98%以上。出窑碳化硅微粉的铁、铝等杂质元素含量稳定控制在低的ppb（十亿分之一）级别，产品批次合格率提升至99.5%。这一核心部件的升级，显著提升了我国芯片衬底原料连续化焙烧的工艺稳定性。

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